Разработка методов формирования и исследования электронных устройств на графенах.

На данный момент интерес к графену обусловлен уникальными свойствами, которые проявляет этот двумерный материал. Графен обладает определенными преимуществами, позволяющими рассматривать его как перспективную альтернативу материалу традиционной полупроводниковой электроники. Основная проблема ограничивающая повсеместное внедрение графена является поиск методики синтеза наноразмерных слоев графита с заданными параметрами. Среди разнообразия методов, наверно самый известный метод - это метод микромеханического расщепления слоев высокоориентированного пиролитического графита. Однако, данный метод не позволяет говорить о большом выходе годных. Полученный таким методом графен обладает всем спектром уникальных характеристик, но повторяемость структур оставляет желать лучшего. На данный момент ведутся исследования перспективного метода роста наноразмерных слоев графита, в основе которого лежит метод химического осаждения из газовой фазы этанола.
 

Данный метод позволяет отказаться от высоких температур и не требует сверхвысокого вакуума. Кроме методов получения самого материала, ведутся исследования по разработке методики локального позиционирования наноразмерных слоев графита на поверхности различных пластин, который должен обладать простотой и воспроизводимостью, что позволит формировать различные усройства как микро-, таки  наноэлеткроники. Ведь любое наноэлектронное устройство, основанное на графене, включает в себя фрагмент листа графена, находящийся в сложном электростатическом окружении (подложка, контактные и бесконтактные электроды, другие фрагменты графена).