СОТРУДНИКИ ЦЕНТРА ПРИНЯЛИ УЧАСТИЕ В 9-ОЙ ВСЕРОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ «НИТРИДЫ ГАЛЛИЯ, ИНДИЯ И АЛЮМИНИЯ – СТРУКТУРЫ И ПРИБОРЫ» С 13 ПО 15 ИЮНЯ В МГУ

Сотрудники Центра приняли участие в 9-ой Всероссийской конференции «Нитриды галлия, индия и алюминия: структуры и приборы», прошедшей с 13 по 15 июня на территории на физического факультета МГУ имени М.В.Ломоносова. В рамках конференции было определено, что технология создания приборов на основе широкозонных полупроводников нитридной группы (которая разрабатывается всего в нескольких организациях на территории России, в том числе и в МИЭТ) имеет огромные перспективы, как в области создания светоизлучающих диодов (которые уже массово внедряются в Российской Федерации), но, что более важно, в новых системах на основе мощных и высокочастотных транзисторов в связи с развитием сверхширокополосных телекоммуникационных систем нового поколения, высокоточных систем наведения, систем межспутниковой связи, автомобильных радаров, анти-террористических систем, и перспективных энергосистем на основе технологии Smart Grid.

МИЭТ представляли д.т.н. И.И. Бобринецкий и к.т.н. К.А. Царик с докладом «Исследование биологической совместимости пьезоэлектрических преобразователей на основе пленок AlN». Доклад вызвал интерес, так как предлагал новые направления использования широкозонных полупроводниковых структур в области медицинской диагностики.